目次
致谢
摘要
Abstract
目次
第一章绪论
    1. 1前言
    1. 2   NPT型IGBT的结构特征和工作机理
      1.2.1  NPT型IGBT的结构特征
      1.2.2  NPT型IGBT的工作机理
    1. 3    IGBT建模的关键点及模型的分类
      1.3.1  IGBT建模的关键点
      1.3.2  IGBT模型的分类
    1. 4本文的研究内容及意义
        1.4.1本文研究的意义
        1.4.2本文的研究内容
第二章NPT型IGBT模型的理论推导
    2. 1双极输运理论
  2. 2   NPT型IGBT稳态模型
      2.2.1准中性基区电子和空穴电流表达式
      2.2.2发射极一基极电势差(Veb)表达式
      2.2.3稳态I-V特性关系
  2. 3   NPT型IGBT关断暂态模型
      2.3.1关断暂态时准中性基区过剩载流子总电荷量变化率
      2.3.2关断暂态时IGBT阳极一阴极电压变化率dVA/ldt
    2. 4本章小结
第三章模型参数的提取
  3.1芯片有效面积A的提取
3. 2大注入过剩载流子寿命的提取
3.2.1理论分析
3.2.2实验提取
3. 3参数提取
3. 4本章小结
第四章模型的验证
  4. 1稳态模型的验证
    4. 2关断暂态模型的验证
4. 3本章小结
第五章总结与展望
参考文献